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设计原理：
电源系统：
电池供电，首先经过有Q71构成的反接保护电路，之后分为两路，一路经HT7130稳压到3.0V供MCU，另一受Q72的控制作为外设的电源，它连接至两个由LT1372构成的Boost
升压器，分别升至15V（供欧姆电流源和OLED偏压）和5V（供模拟部分）
这里采用HT7130主要是考虑到其且具有极低的静态功耗,特别适合为待机的MCU供电。
DCDC变换器采用LT1372是因为其低成本，且该器件具有NFB功能，可以方便的构成Cuk 拓扑结构，组成负电压输出的开关调节器（新版要用到+-15V），虽然由于静态功耗较大，在小电流输出下效率较低，但总体上还是不错的。
MCU 系统：
MCU 采用STM32F103R6T6 （其实101系列就行，但是市面上没有零售）靠内部的RC振荡器工作在20MHz的频率上（更快没实际意义，且更费电），后备电池使用0.22F的超级电容，（为了兼容性，又做了个100uF钽电容的焊盘）RTC晶振使用MC-306 6pF 32.768K,注意要接入200K的R66否则容易振坏。
MCU使用5线SWD端口进行Flash烧写和调试。
PA0构成软件电源开关，可以从待机模式唤醒MCU。
OLED使用串行模式，4X3矩阵键盘，SD卡采用SPI模式。
其他端口用来控制模拟板。
输入选择：
先看电压-电阻部分
继电器K1选择将HI输入端子直接接入模拟开关或者进行分压。
继电器K2选择将欧姆电流源注入HI或者LOW。
上面的两个继电器都使用磁保持型的，避免长期通电发热导致热电势误差。
HS，LS，以及HI的输入通过R01-R06以及R17-R1A D17-D16 组成的保护电路被限制在+-2.0V，然后加上从 9串：11并的1.1M分压阵列99：1分压后的电压一起进入8选一模拟开关。
电流部分先经过500mA熔断器-全桥的保护电路，经过继电器选择接入100R 10R 或1R的分流电阻，其上的压降取出后也被送入模拟开关，U01A构成的跟随器将提升二极管桥中点的电位至电流输入端子电位，从而减小了他们的漏电流。
U01B为测量系统提供中点参考电位(也就是LOW端子的电位)。
这里需要提下的是分压电阻采用了50ppm的晶圆电阻构成阵列，下面PCB敷铜均温，从实际效果看还是非常不错的。
U01由于要求不高所以采用了低成本的MCP6002。
模拟开关原计划用MAX328的，但由于货源原因，用ADG508代替了。
程控放大：
这里采用了AD8629作为主放大器，该器件为低噪声斩波稳零放大器，U20A根据U27选择的反馈信号配置成X1或X10放大器，U20B是一个驱动驱动容性负载的缓冲器，用以驱动ADC。
同样的这里的分压电阻采用了3串：3并构成的9:1分压器，由于要求不高模拟开关采用了采用了高速CMOS的74HC4053
Ref and ADC:
U44是2.5V精密带隙基准，采用ADR421B他能稳定地驱动1uF的容性负载，最大3ppm/C的温度系数，1.5uV pp 0.1~10Hz 噪声
U43采用24Bit低噪声ΣΔ ADC LTC2440 可提供接近21Bits的有效位。
U41为低噪声LDO调节器LP2985，为模拟部分提供5V电源。
欧姆电流源：
U31为低偏置电流精密运放AD706，其中U31A和Q31起到参考电压缩放-转移的作用，将2.5V的基准转换成比标准电阻（RJ31~RJ34）公共端低1V输入到U31B的正，模拟开关用于选择4个标准电阻（开尔文接法），Q32是PJFET受U31B控制保持标准电阻两端的电压为1V，Q33~Q35 与 D31 组成保护电路（Q34,Q35实际为高反压PNP管2N6520，Q33为低漏电流N-JFET PN1117A）。
DZ1与R30构成降压电路使得U31B的输出能足够的正使Q32截止。
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