采样电阻的另一个类别，是标准分流器。
比较著名的是Fluke的A40B系列，一套从最小的10mA，按照1、2、5步进，最大100A。100A的不确定度为35ppm，压降0.8V、功率80W，采用大量塑料块并联。整套价格要十几万。
高联也有与套类似的，超过1A的有3A、10A、25A、50A和100A。最大的100A的不确定度30ppm，压降0.4V（功率40W），50A的压降0.5V（功率25W），25A的压降0.75V（功率19W），10A的及以下的压降均为1V。
高联也生产另外一个型号9230，年稳是10ppm，精度20ppm，100A的内阻0.01欧，比较大，功率有100W，一般需要风冷（有选件）：
以下是高联比较老的9230，颜色是黑的：
Ohm Labs有几款大电流分流器，此处是100A、200A、300A的，阻值分别是1mR、1mR、0.1mR，精度0.01%、0.02%、0.05%。
当然，他们还有500A、1000A的产品。
台湾Prodigit的7550A，最大250A，精度0.02%
内部采用了Isabell的1mR的Rugz：
如果电流小一些，那么这个分流器也是很不错的，20A、0.01欧（0.2V、4W），10ppm，内部有风扇：
七、大电流恒流源的电源
为了能够产生大电流，必须有自己的电源。由于电流大、功率大、要求高，因此难度也不小。
1、线性整流电源
就是传统的变压器、整流、电解滤波。除了按照电流和功率选择相应的器件外，主要困难是滤波电容。传统的线性电源，不仅电流小，而且纹波要求不高。而大电流的不仅要其滤波电容成比例的增大，而且纹波要求要更高。滤波后的峰峰波动用以下公式来计算：
Vpp=0.01×I/C
因此可以看出，那种每安培2000uF的经验公式，Vpp=5V，很大了，恒流源的电源如果直接使用，按照2Vpp计算，选每安培5000uF。如果是100A的，那势必要用到500000uF了，也就是0.5F，体积和价格都很厉害。也许有人会说能否用超级电容，简单说，不可以，主要是电流和寿命不够。
2、开关电源
开关电源效率高，但存在纹波。而且这种纹波频率高，对恒流部分是个考验。
3、电池
电池的特点是非常洁净，没有纹波，高烧HiFi者也常常用电池做电源。
现在很多动力电池，都具备大电流放电的能力，因此通过适当选择规格容量，可以满足大电流发生器的要求。
用电池的缺陷，是连续使用的时间不长。
4、混合1，开关+线性
也是菊水电源经常采用的方法，输出是线性的，但前级的开关电源保证让调整管工作在最佳状态，这样不仅在大范围的电压输出下保证较高的效率，而且输出特性良好。
5、混合2，电池滤波
例如铅酸电池具有非常低的内阻，接成在线的方式替代滤波电容，就可以输出非常低的纹波，放电的同时也一直在充电，因此解决了电池时间不够的问题
八、大电流恒流源的调整管
1、大功率MOS管
具有电流较大、热稳定性好、电压型控制、导通压降超低的特点。尽管其耐压相对低，但对于大电流恒流源的应用，完全不是问题，因此为首选。如果大功率MOS模块不好找，可以自己用多个中小功率的MOS管并联。并联时注意均流，并联电阻要小，栅极先串接几十欧电阻后再并联，避免震荡。
2、GTR
巨型三极管，也叫电力三极管、功率三极管，适合高压大电流。
这种管子对驱动要求高，不宜获得，不好并联。另外，其导通压降设计上并不很低，不如MOS管。不太适合做大电流恒流源。
3、IGBT
绝缘栅双极型晶体管，是一种复合半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的高压大电流两方面的优点。
问题是，IGBT价格贵，不好并联，因此也不太适合做大电流恒流源。
九、大电流恒流源的一个DIY
前面说过，电阻检流法电路成熟而简单，适合DIY。其主要结构包含了电源、电阻、控制等几部分，根据自己现有的条件，DIY了一个100A恒流源，先上电路图和照片，然后分别说明。
控制部分，采用了典型电路，非共地。由于控制和主电源都采用电池，因此“地”到底选哪里，关系不大。
运放采用了LTC1150，特点如下：
A、其Vos非常小，保证<10uV，温漂不大于0.05uV/C，这样对于100mV的采样电压，达到几个ppm很轻松。
B、其Ib不到0.1nA，因此在10k电阻上的压降也不到1uV，可以忽略。
C、1Hz以下的噪音为0.6uVpp，也可以忽略。
D、压摆有1.5V/us，也比较高了。
E、共模输入电压可以到达负电源，属于单电源运放，耗电不到1mA，可以简单用电池做电源，方便。
F、输出是轨轨的，便于驱动MOS管。
其实，运放选择LTC1052要更好一些，几个指标都有所提升。至是临时找到了1150就焊上了，性能足够。
控制部分的基准，简单的用了LM285-1.2，同时分压也是用一个小电阻加一个多圈微调得到0.1V，不够好，至是试验用，将来也很容易改进。
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