※寻址Step Down Converter
（特征：IC容易取得价格低廉）
图10使用历史相当长久的Step Down Converter控制IC，它的输入电压为8-16V ，输出电压为 5V 600MA。本Converter最大特点是价格低廉容易取得。图中的MC34063（On Semiconductor Co）动作频率被设为45KHZ ，因此线圈与电容器的外形可能会变大，不过只要印刷pattern设计得宜的话，上述问题对动作上尚不致构成困扰。
必须注意的是类似新日本无线的NJM2360与NJM2374A，虽然是特性相同的IC，不过结构上却不相同，只有国家半导体的LM2574N-ADJ与Sunken的SAI01是寻址Step Down Converter用IC。
※On Board电源用Step Down Converter
（特征：封装面积小，操作简易的DC-DC Converter）
图11是利用寻址控制IC构成封装面积很小的Step Down Converter，它的输入电压为6-16V ，输出电压为 5V 450MA。
图中的MAX738 IC为8pin的DIP封装，输入端的积层陶瓷电容C2 必需贴近IC的lead
否则无法顺利动作。本IC的动作频率为160-170KHZ 左右，因此周边的被动组件可以使用lead type。电容的等价串联阻抗必需使用低于0.5欧 的type；线圈的inductance为100UH 或是 33UH。
※效率95%的超小型Step Down Converter
（特征：由5*5MM 的控制IC构成）
如图12所示超小型Step Down Converter，是由外型尺寸为5*5MM 的IC与数个外置组件构成，本电 路内建两个power MOSFET属于同步整流type，它可以利用FBSEL端子的设定，使输出电压VOUT 作1.5 1.8 2.5V 三种切换。
※可输出5-10V 低噪讯DC-DC Converter
（特征：适用于电池device等模拟电路电源）
电池device的单电源，经常被要求必需能够提供OP增幅器的数个模拟电路正、电源，由于电流值相当低因此使用的组件数量相对很少。图13是输入电压为5V ，输出电压为10V 的DC-DC Converter，图中的MAX865是8 pin的μMAX封装内建CMOS charge pump的控制IC，它只要四个外置电容就可以 1.5-6V输入电源，制作两倍的正负电压，由于本电路未使用线圈，所以峰值电位（spike）的噪讯（noise）非常低。
charge pump的电容C1 C2 必需使用低等价串联阻抗，耐压超过16V 以上的电容组件，因为加大容量时可以降低波动（ripple）电压提高效率。根据规格书（datasheet）的记载MAX865内部的输出阻抗，分别是正电压端为90欧 ，负输出为160欧 （输入为5V 时）。若流入5MA的负载电流时，正电压端会产生0.45V 的电压下降，负电压端则产生0.8V 的电压下降，要求无电压变动的电路可以采用MAX865并联连接，或是改用MAX743 type。此外V- 电路的负载电流较大时，基于保护电路等考虑，可以将shot key barrier二极管连接于V- 端子与GND 端子（第4 pin）之间。
※可输出+5-- --5V 的DC-DC Converter
（特征：可辅助正电源系统得负电源需求）
小型量测设备经常会有负电源需求，如果不需大电流容量时，可以使用charge pump的极性反转Converter。 图14的DC-DC Converter可以使5V 的极性反转，同时输入 –5V 50MA的电力，图中的MAX860是8 pin表面封装type控制IC；表2是表面封装type控制IC的规格一览。上述Converter的动作频率可设定成6K 50K 130K 三种形式，无小型化要求时可将 VC端子与输出端连接设定成130K ，同时使用低容量的小型电容。图14的设定值为50KHZ ，输入电压范围为1.5-5V ，输出阻抗为 12，最大负载电流为 50。如果希望利用负载降低电压时，可将MAX860并联连接 。
表2 极性反转型Step Down Converter控制IC的规格
※可使电池电压上升的Step Up Converter
（特征：电池能量100%发挥）
使用二次电池驱动的可携式电子产品，要求即使电池电压下降亦能长时间动作，因此出现可将5V 的电池电压Step Up，输出200MA 的Converter（图15）。如表3所示具备上述功能的IC种类非常多，由于这类IC大多具有shut down端子（pin），因此可用logic level控制输出的ON/OFF。此外 即使shut down输出与输入也不会连通线圈，使得输入电压（电池电压）直接被输出。要求大电流的场合（case）建议改用流入线圈的峰值电流极小，而且又是固定频率的PWM type MAX1700 IC。
表3 Step Up Converter控制IC的规格
※高电压Step Down Converter
（特征：无变压器可使100-400V 直流电压转换成15V ）
如图16所示本Step Down Converter可将100V 以上高电压转换成 15V，由于本电路未使用变压器就可以获得低电压，因此使用上非常方便。设计规格如下所示：
>DC输入：100-400V 。
>DC输出：15V 200MA 。
由于控制端子的电压高达5.7V ，所以输出电压无法低于5.7V ，输出电压VOUT 可以从ZenerVZ V二极管的电压 求得： VOUT=VZ+5.7
图中的MIP0222SY与power MOSFET同样是三端子控制IC，内建有switching电源必需具备的所有功能，因此只需利用该IC就可以用简易的电路，形成高电压用Step Down Converter，值得一提的是与 同等级的产品有Power Integration公司开发的TOP222Y； 以外的同等级组件基本上可以从其它公司的产品型录中寻得。
为了抑制线圈L1波动（ripple）电流，因此线圈必需大于必需1MH ，在L1 流动的最大电流值则是根据IC1 的最大电流规格设定成500MA 。当IC1 为ON时输入电压会流入D1 D2 ，因此必需选用耐压超过 400V的组件，此处考虑延迟（delaying）时间所以选用耐压600V 的type，若是要抑制switching损失的话，就必需使用高速、高效率、低损失的的二极管。
如上所述由于输入电压非常高，所以波动电流也很高，此处为降低输出波动电压，所以输出电容必需尽量挑选低等价串联阻抗的type。
※Memory Backup电源电路
（特征：即使系统电源OFF时，电源持续提供电力至内存）
如果PC使用简易系统的话，一旦电源OFF时的内存电力也会一并被切断，造成储存于内存（Memory）内部的数据面临全毁的厄运。
图17是电源OFF时仍旧可以维持SRAM电力的电路，当电源ON时镍氢二次电池进行充电动作，电源OFF时二次电池便自动释放电力。
由于SRAM动作时的电源电压超过4.5V 以上无法将TR1 变更成二极管，所以利用VDROP 很小的PNP晶体管（transistor）构成switch。当电源OFF时SRAM的CE2 会变成L level成为待机状态。
※World Wide输入，三频输出简易型Switching电源
（特征：利用内建Power MOSFET的单芯片控制IC获Switching电源）
图18是数字、模拟混载系统用输入World Wide/三频输出，绝缘型Switching电源电路，它适用于10-45W 的device。
本电源电路主要规格如下：
>AC输入： 85-264V
>DC输出1： 15V 1.5A
>DC输出2： -15V 200MA
>DC输出3： 5V 3A
图18 World Wide输入的Switching电源
(输入85 246V: ,DC输出1 15V 1.5A: ，DC输出2:-15V 200MA ，DC输出3:5V 3A )
图中的MIP0224SY控制IC内建有switching电源必需具备的所有功能，此外本IC采用与Power MOSFET相同的三端子（pin）封装，动作上则属于一般电压模式（mode）fly back converter，因此内建于输出段的Power MOSFET drain耐压高达700V。
使用MIP0224SY时只需注意耐压问题，就可以轻易获得制作上非常繁琐的绝缘型Switching电路。变压器的设计是最棘手的一环，建议读者利用Power Integration公司的网页，下载设计用Excel sheet就可以轻易设计变压器。
必需注意的是绝缘距离，尤其是适用的安全规范会随着用途有很大的差异，图18的电路是根据IEC60905规范设计。
此外与市面上有许多与IC1 同等级的控制IC，例如Power Integration公司的TOP224Y就是典型代表，若使用TOP224Y的话就可以制作180W 的fly back converter。
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