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摘要：介绍了在TI公司TMS320VC33 DSP应用系统中，通过JTAG口对DSP外部FLASH存储器实现在线编程的方法，给出了DSP系统加电后的自动装载运行。 FLASH存储器是一种高密度、非易失性的电可擦写存储器，存储量大，使用方便，适用于低功耗、高性能的系统。在高速DSP应用系统中，为了充分发挥DSP性能，在加电后需要将用户代码装载到高速RAM存储器中运行。下面介绍SST29LE020型FLASH存储器的烧写方法，以及如何实现TMS320VC33上电后用户程序的自举引导（Bootload）。 1 SST29LE020的特点及操作 SST29LE020是SST公司生产的一种256K×8FLASH，它有10万次以上的擦写寿命，其内部分为2048个页面，每个页面128字节，页面写周期为5ms。如果页面中一个数据需要改变，则这个分区的所有数据必须重新装入。 FLASH支持软件数据保护功能（Software Data Protection），当执行三字节DSP写指令时，保护功能将自动加上，任何后续的写操作必须带上三字节DSP写指令。 SST29LE020的读操作与传统EPROM读操作一致；在进行数据编程操作时，它支持内部定时(Internal Timer)、数据查询（Data#Polling）、跳变位（Toggle Bit）三种方式，以测试内部编程操作是否完成。FLASH软件擦除指令为6字节加载指令，该指令执行后，最多等待20ms整个芯片便被擦除，即将 FLASH每个数据位都恢复为1状态的全FF状态。 SST29LE020软件指令序列可在SST公司的数据手册上查到，在FLASH编程之前，需对FLASH进行擦除，擦除操作需要六个总线周期。 FLASH页面写操作在使用内部定时方式时的流程如图1所示。
 2 TMS320VC33简介 TMS320VC33是美国TI公司推出的 TMS320C3X系列的32位浮点数字信号处理器，它是在TMS320C31浮点DSP的基础上开发的一个价格更低的DSP，该产品具有高速、低功耗、低成本、易于开发等显著优点。TMS320VC33采用内部1.8V，外部3.3V供电，因而它的功耗比原有型号TMS320C31的功耗降低了大约一个整量级，而且能支持高达150M/FLOPS的运行速率。其主要特性如下： CPU是32bit的高性能CPU：可进行16/32b整数和32/40b的浮点操作；内含8个扩展精度寄存器；有2个地址发生器、8个辅助寄存器和2个辅助寄存器算术单元（ARAU）。 片内存储器为32bit指令字、24bit地址线、34K×32b（1.1Mb）的双静态RAM。 外围接口具有启动程序装载功能；内含5倍频的锁相环（PLL）时钟发生器；片内存储器可映射外设，其中包括一个串行口、两个32bit定时器和一个DMA；具有四个内部译码页选，可大大简化TMS320VC33与I/O及存储器的接口。 3 TMS320VC33程序引导功能 TMS320VC33具有两种存储器映射方式，即MP （Microprocessor Mode）方式和MC/BL（Microcomputer/Bootloader Mode）方式，两种方式下中断向量的位置不同。常用的是MC方式。在该方式下，MCBL/MP引脚接高电平，内部ROM被映射到000～FFF之间。这段ROM中今有器件生产厂家固化的引导程序（BootLoader），该引导程序可以将DSP实时运行的程序和数据从外部低速ROM或串行口装入到高速 RAM中。 TMS320VC33复位后即运行内部固化的引导程序，引导程序通过查询四个中断引脚来确定装入方式。这些引脚为低电平有效，查询顺序依次为INT3、INT0、INT1、INT2；当INT3有效时，为串行装入方式；当INT0有效时，从外部地址0x001000处装入（BOOT1）；当INT1有效时，从外部地址0x400000处装入（BOOT2）；当 INT2有效时，从外部地址0xfff000处装入（BOOT3）。 TMS320VC33具有四个快速页选信号，用于对外部地址空间寻址。 使用外部存储器装入数据时，外部存储器数据头位置需包含以下信息： （1） 外部存储器宽度（8/16/32位）； （2） 程序代码块的长度； （3） 装入数据的目的起始地址； （4） 存储器访问的定时控制参数。 头信息之间是用户的程序代码，程序代码按低位在前、高位在后的顺序排列。程序代码之后，必须有一个全零字，即0x00000000，用以指示引导程序用户程序代码已结束。引导完成后，即从装入的目的地址处开始执行用户程序。 4 FLASH在线编程方法 TMS320VC33的调试使用CC for C3x/4X(Code COmposer)集成编程环境，通过JTAG头仿真用户板，用户代码先放在外部RAM中调试，调试成功后，就可以将用户程序代码写入FLASH了。下面介绍在并行装入BOOT2方式下的在线编程方法。 SST29LE020与TMS320VC33的连接方式比较简单，FLASH片选CE引脚直接连接至TMS320VC33的PAGE1引脚；FLASH的输出使能OE引脚的最简单的处理方法是采用跳线方式（当向FLASH写入数据时，接高电平；通常情况下，接地）。 在调试用户程序时，需根据用户板的存储器空间分配制作CMD文件，假设用户扩展的外部RAM为32bit，起始地址为0x00c00000，长度为32K；外部FLASH起始地址为0x00400000（使用BOOT2方式），长度为256K。其CMD文件如下： MEMORY { INTRAM1：origin=0x00800000,length=0x00008000 INTRAM2:origin=0x00809800,length=0x000007c1 VEC:origin=0x00809fc1,length=0x3f EXTRAM:origin=0x00c00000,length=0x00008000/*32k*/ FLASH:origin=0x00400000,length=0x00040000/*256*/ } SECTIONS {/*用户程序代码及初始化数据放在外部RAM*/ .vectors>VEC /*VC33规定的中断向量地址*/ .text :LOAD=EXTRAM .cinit>EXTRAM .data:RUN=EXTRAM .bss:RUN=INTRAM2 .stack>INTRAM1 } 第一步：在CC下编译后，装入用户.OUT文件，用户程序代码即被写入EXRAM空间。 第二步：依据TMS320VC33的BOOT格式，并根据CC产生的用户.MAP文件找出程序入口地址、各加载块的入口地址以及长度，编写FLASH烧写文件。示例源程序清单如下： #define MEM_WIDE 0x00000008 /*Flash存储器宽度*/ #define CG_REGISTER 0x000010c8 /*全局存储器配置参数*/ #define ENTER_POINT 0x00c00064 /*程序代码入口地址*/ volatile int *flash_add=(volatile int *)0x400000;/*外部Flash的映射地址*/ #define BOOTORG 0xc00064 /*.MAP文件中的程序入口地址 #define BOOTBLK 3/*.MAP 文件中的加载块数量*/ #define BOOTSRC1_ADD 0x00809fc1 /*第1个加载块地址*/ volatile int *bootblk1_add=(volatile int *)0x00809fc1; #define BOOTBLK1_LEN 0x3a /*第1个加载块长度*/ #define BOOTSRC2_ADD 0x00C00000 /*第2个加载块地址*/ volatile int *bootblk2_add=(volatile int *)0x00c00000; #define BOOTBLAK2_LEN 0xa3 /*第2个加载块长度*/ #define BOOTSRC3_ADD 0x00C000a3 /*第3个加载块地址*/ volatile int *bootblk3_add=(volatile int *)0x00c000a3; #define BOOTBLK3_LEN 0x17 /*第3个加载块长度*/ //////////////////////////////////////////// unsigned int flashaddnum,bytenum; /*定义Flash地址及页面字节数变量*/ void waite(int ms)/****软件 1ms子程序****/ {…………；} void sdp_flash()/******软件数据保护子程序*********/ {flash_add[0x5555]=0xaa;/*3字节芯片SDP指令*/ flash_add[0x2aaa]=0x55; flash_add[0x5555]=0xa0; } void era_flash()/******擦除芯片子程序*********/ {flash_add[0x5555]=0xaa;/*6字节芯片擦除指令*/ flash_add[0x2aaa]=0x55; flash_add[0x5555]=0x80; flash_add[0x5555]=0xaa; flash_add[0x2aaa]=0x55; flash_add[0x5555]=0x10; waite(20); /*20ms等待芯片擦除完成*/ } void write_flash(int bootdata)/***写一个int型数据***/ {unsigned int i; for(i=0;i<3;i++) /*一个int型数分成四个字节写入*/ {if(bytenum==0) /*如果是页面第1个字节，先写SDP指令*/ {sdp_flash();} flash_add[flashaddnum]=bootdata; /*向Flash地址写一个字节*/ flashaddnum++; /*Flash地址加1*/ bytenum++; /*页面字节加1*/ if(bytenum>127) /*一个页面写完，页面字节置0，等待11ms*/ {bytenum=0;waite(11);} bootdata>>=8; /*待写数据右移8位*/ } } void main() /***主程序***/ {unsigned int i,j,lenth; bytenum=0;flashaddnum=0; /*Flash地址及页面字节数置*/ waite(1); /*等待1ms*/ era_flash(); /*擦除Flash芯片*/ write_flash(MEM_WIDE); /*写外部Flash存储器宽度*/ write_flash(CG_REGISTER); /*写寄存器配置参数*/ write_flash(1); /*第1个boot的数据长度为1*/ write_flash()ENTER_POINT; /*写入boot的目的地址*/ write_flash(0); /*第1个boot的数据*/ for(i=0;i<BOOTBLK;i++) /*分别烧写需要boot的数据块*/ {if(i==0) /*每个数据块烧写的起起2字节分别是长度和源地址*/ {lenth=BOOTBLK1_LEN; write_flash(BOOTHBLK1_LEN); write_flash(BOOTSRC1_ADD);} else if(i==1) {lenth=BOOTBLK2_LEN;write_flash(BOOTBLK2_LEN); write_flash(BOOTSRC3_ADD);} else{;} for(j=0;j<lenth;j++) /*将数据块内容写入Flash*/ {if(i==0){write_flashbootblk1_add[j]};} else if(i==1){write_flash(bootblk2_add[j]);} else if(i==2){write_flash(bootblk3_add[j]);} else{;} } } write_flash(0); /*代码最后位置写全零*/ write(10); /*等待10ms，保证Flash写完成*/ } 第三步：修改.CMD文件SECTION段，将烧写程序链接到内部RAM区。.CMD文件中SECTION段如下： SECTIONS {/*Flash烧写代码及初始化数据放在TMS320VC33内部RAM*/ .text:LOAD=INTRAM1 .bss:RUN=INTRAM1 .cinit>INTRAM1 .stack>INTRAM1 } 第四步：运行烧写程序，用户代码即被写入FLASH中，将FLASH的OE引脚跳线连通至的位置，利用CC可以查看FLASH存储器内容是否与要烧写的内部一致，并脱机检验。 FLASH在线编程方法已在用户板上得到了验证，达到了预期的目的。通过JTAG仿真器对TMS320VC33用户系统外部FLASH的在线编程，可以省去HEX转换工具及EPROM编程器等工具，且具有方便、易行的特点。该现场在线编程的方法可推广至其它系列DSP用户系统，是DSP开发中需要掌握的一项新技术。
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