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以下DSP上电自举调试经验的前提：
采用的是MP/MC＝0的模式，采用ROM中固化的bootloader，flash映射在数据空间，曾经烧写过两类flash：Am29DL400B和SST39LF／VF200A／400A／800A。
1、烧写flash：
关于flash的烧写程序，很容易出错的是两点:无法正常擦写，不知道是否正确写入。
烧写flash要严格按照flash芯片的命令顺序：以Am29DL400B的写单元为例：555（地址） AA（发数据）——2AA 55—— 555 A0——PA PD
其实555 AA都是命令，并不是真的在flash芯片的555地址写入数据AA，只是flash的命令，只有到PA PD时候，才是真在PA的地址写数据PD。而且对于这款flash，命令的最高位是忽略的。 如果flash无法擦除和写入，可以考虑：降低DSP工作频率，使得读写时序满足flash的 datasheet的要求；检查是否按照datasheet的发命令顺序，一般是先reset再Chip Erase再Program；再就是用示波器测试一下，看看写信号和片选信号和数据是否都到达Flash芯片，测试时，可以用一个循环一直写flash，如果这些都正常，就是你的写时序出问题了。 看看写时序是否满足Flash的写周期时间要求，等待周期是多少，写周期后的等待时间是多少,也要看读写该芯片应该插入多少等待（SWWSR寄存器）。实在不成的话，写Flash时把时钟降下来。 不知道是否正确写入flash，可以直接用仿真器，上电后先不打开project，添加GEL文件后就可以在ccs中看到data空间的数据了。如果是乱七八糟的数据，有可能是GEL文件中寄存器的设置不对，但是建议不要修改GEL文件中寄存器的默认值。此时可以打开烧写flash的project，运行到reset flash命令后就可以看到
data空间的数据了。 2、上电自举：
程序正确烧写进flash后一般上电是能够正常自举的，如果有问题的话首先应该查询写入的自举表是否正确。10AA ，SWWSR（推荐值7FFFH）， BSCR（推荐值F800H）这三个标志写对了的话就继续检查程序入口XPC，程序入口地址，程序块长度、存放目标XPC、存放目标地址，这5个值任何一个有问题都无法正常自举。还有就是数据空间FFFFH地址的8000（自举表存放首地址）是否正确写入。
建议烧写一个小的程序，比如说让XF脚产生方波的程序，在XF脚上加一个LED灯闪烁则表示自举成功。 PS：调试DSP的bootloader聪烧写flash到上电自举，确实会发生不少问题，需要仔细检查，最好阅读TI的开发手册中相关文档：比如TMS320VC5416 Bootloader (Rev. D).pdf
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