个人电子技术经验积累

时间：2012-10-30 来源：123485.com 作者：9stone

40: protel画好之后需要注解日期，以及版本号。

41:普通的电位器，把1，2脚相连顺时针旋转的话可以使1，3脚电阻减少，逆时针电阻增加。

42:用汇编语言编写程序的话，头文件需要自己加进去的吧，如果用c编程的话，再变成的时候头文件是自己写的比如#include <REG51.H>，而汇编比如加文件startup.a51

43 在线仿真器的功能就是代替目标板上的mcu，这样就不需要真完用写到真实的mcu单片机上。明白了吧

44:protel 元件清单导出方法快捷rri 然后导出就可以成为xls文件可以用execl打开了哈哈。

45 液晶显示模块，比如160*128对于16*16汉字点阵来说就是10列8行。

46:万用表直流挡测量的电流是平均值，而交流档测量的是有效值。

47：自激震荡寄生振荡的区别需要弄清！

48:单片机学习经验
使用c语言要用到c编译器，将c程序编译成机器码。
keil51使用方法 new project 命名为 test.uv2
                  选择单片机 at89c51
                  新建程序，c为test.c 汇编为.a或.asm
                  将c程序加到项目中，点source group
                  编译可以点target生成 hex文件
                  进入调试模式，按d那个按钮，d带个圆圈的那个东西
                  运行程序
                  按停止后，再按那个d，关闭调试模式。
要用c或者汇编对硬件结构必须很了解，尤其是汇编。
89c51的最小系统应该包括，晶振电路，复位电路，led显示。
c语言是区分大小写的
将目标程序代码写到单片机要用到编程器，或者使用仿真器代替mcu使用也可以的。
      在51单片机中与外部存储器ram打交道的只可以是A累加器，所以对外部ram的数据操作都通过A送去，另外，内部ram间可以直接进行数据的交换，而外部不行，如外部0100H的数据送入0200H单元，必须通过累加器A来实现。且要读或写外部的ram，当然也必须要知道ram的地址。在后两条指令中，地址是被直接放在DPTR中的，使用时应当首先将要读或者写的地址送入DPTR或Ri中，然后再用读写命令。

50: 解剖电路板的方法：一定要先把元件一个个的排列在sch图中，象画pcb那样把线路连接就可以了，然后慢慢分析电路中的各个芯片。

51：过小的信号尽量不要使用开关电源来处理，如10a恒流源通过0.001欧姆电阻。

51：50hz的工频率信号可以用带阻滤波器来解决拉。(效果未必好)

52：开关电源的几个主要指标
电流调整率：也叫电压稳定性表示电流从零到最大时，输出电压的相对变化量。
电压调整率：负载不变下，输入电压变化，输出电压相对变化量。也称为输入电压允许变化的范围。
纹波电压
电源效率
温度特性。

53.电磁感应中的磁饱和的现象：绕组中的铁芯的磁通量是有一定数量的，并不随着电流的增长而无限增长，当电流大与一定值时，磁通量就不再变化达到磁饱和，就不能产生自感电压，就失去了反抗外加电压的能力，也就是说没有了感抗，有就是没有了电感量L。基本是趋近于零。

54:三极管的饱和：当Ib增加到一定程度后，且Vce较小的情况下，如0.3v，那么继续增加Ib，Ic的就基本不变了。这就是三极管的饱和工作状态。会饱和是因为c极有内阻，或者串联了电阻，或者电源电压不够高都会引起，如果电压够高，电阻大一点也不会饱和的。

55.所谓的精度0.1及就表示0.1%，后面加个%就是了。

56:电容的储能状态是电容开路电压不变，电流为零，能量为1/2（CU*U）
电感的储能状态电感短路，电流不变，电压为零，能量公式为1/2（LI*I）

57:共模电压，差模电压的理解
比如反向比例运算电路，如果输入信号是+/-3v对地交流信号，输入信号在任何时候Up都是等于Un的且等于0（同相接地），而不是说运放两端要承受3v的差模电压。注意差模电压是指云放的+和-之间的电压。而输入信号的幅度大小只要不超过电源电压就可以了，和运放的差模电压根本没关系，这个只有在比较器的时候才体现出来，两端接不同电压，开环放大倍数很大，输出不是正电源电压就是负电源电压。

58:什么是励磁电流，可以简单的理解为次级空载，流过初级的电流，所以初级的电感量要大，这样励磁损耗才会小的。对交流来说电感越大，感抗越大，就象电阻越大一样的概念。

59:射极放大器如何不失真呢？
主要取决于RC，RB1，RB2，VCC，还有要加个Re，起负反馈作用，稳定工作点。
IB要有一定的电流值，IC才能在其控制上起明显作用
最关键的是，输入信号不能太大，太大必然要引起失真，
相反，如果信号够小，即使静态工作点不在负载线中心点，也不会失真，
如输入信号幅度很小，即使工作点较高或较低也不一定会出现失真。所以确切地说，产生波形失真是信号幅度与静态工作点设置配合不当所致。如需满足较大信号幅度的要求，静态工作点最好尽量靠近交流负载线的中点。
静态工作点是否合适，对放大器的性能和输出波形都有很大影响。如工作点偏高，放大器在加入交流信号以后易产生饱和失真，此时uO的负半周将被削底；如工作点偏低则易产生截止失真，即uO的正半周被缩顶（一般截止失真不如饱和失真明显）。这些情况都不符合不失真放大的要求。所以在选定工作点以后还必须进行动态调试，即在放大器的输入端加入一定的输入电压ui，检查输出电压uO的大小和波形是否满足要求。如不满足，则应调节静态工作点的位置。
当流过偏置电阻RB1和RB2 的电流远大于晶体管T的基极电流IB时（一般5～10倍），方可根据负载电流来计算出RB1，RB2

60:rail to rail 运放和普通运放的区别在与它们的输出口不一样
前者是c极后者d极输出，而后者是射极输出或者源极输出

61:电容对电阻的放电或者电源E对C的充电都是直流电的概念，不要和RC振荡电路搞在一起，RC振荡电路的谐振频率就是f=1/2piRC

62:为什么要高输入阻抗低输出阻抗呢？
   可能的一个原因就是高输入阻抗，对输入的信号而言负载就很轻，不影响其波形，（相当于让输入信号成为理想的电流源）而低输出阻抗就可以带比较重的负载（相当于让运放本身成为理想的电压源）。这样就比较符合实际情况，信号要好，带载能力很强。

63:磁场中感应电动势与磁通量的变化量有关，也就是和磁场强度B和回路运动的v有关，都是矢量，有方向的。
而安培定律有云，通有电流的长直导线周围所建立的磁场强度B与导线上的电流成正比，和导线的距离的三次方成反比。
安培力公式F=Bvq=BIL=BLq/t,I=q/t

64:无论是积分电路还是微分电路，都应该满足RC<<T（信号周期）
积分电路，为了防止低频信号增益过大，都在反馈电容上并联电阻（比如30k，对5k信号来说）。而微分电路则要在输入电容端串联100欧姆电阻限制电流，并在反馈电阻R上并联两个对k极接的稳压二极管，和一个小电容用来补偿相位，使电路不振荡，提高稳定性。

65:电感励磁就是积聚能量，电感消磁就是释放能量。

66:电感值是不会变的，但是感抗是会根据信号频率改变的
   电容值是不会变的，但是容抗是会根据信号频率改变的

67：电容公式，电感公式   V=（di/dt）*L I=（du/dt）*C

68:电感断路和电容短路
由于电感有阻止电流变化的特性
那么在电感断开的时候，由于电感要保持电流不变
但是由于回路阻抗大大增加，根据欧姆定律
U=IR，或者U=IZ，可见，电感产生的电压将非常的大，
虽然电感也存在分布电容，但是分布电容很小
那么阻抗将非常的大，所以，瞬间产生的高压是很高的。

如果电感瞬间产生的能量来不及由自身的分布电容来释放
那么它将向空气释放，和空气构成回路，空气的电阻很大
那么将产生很大的高压，产生火花，甚至爆炸。
电能转化给热能和光能。

电感的断路其实和电容的短路是一样的道理
电容断路产生很大的电流，而电容有保持电压不变的特性
电流那么大电压又不变，瞬间产生的功率非常大，那么由于
电容本身含一定的电阻，就会导致电容过热烧掉，甚至爆炸。

69:电机的电流是随着转速而变化的；当过负荷时，电机转速降低，电流就要大于额定电流，时间长了，电机过热引发绝缘击穿而烧毁。
电机不是纯电阻负载，电机对外反映出来的是阻抗既感抗；电机的感抗不是固定的，随着转速的不同，转子内感生电流不同，对外反映出来的感抗就不同。电机就是电机，不是电阻，不在额定电压下是不能工作的，不能用简单的欧姆定率来计算它。
解释和自我理解：过负荷时就表示电机的扭矩已经不够了，无法工作在最佳效率点，扭矩不够会造成电机的感抗下降，那么电流就会比正常时大，同时扭矩不够造成电机转不动（比如用钳子钳住就转不动了），转数下降。而根据公式 9550*P=T*n，相对降低电机的额定转速或者加大点功率（指得是输入的有功功率*效率=P，也就是负载功率，指得是电机的机械输出功率），电机的钮矩就会适合原来过负载的情况。

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