| NAND和NOR flash
| 关注: 2012-11-24 |
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| NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本...... |
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| 外置式USB无损图像采集卡的设计
| 关注: 2012-11-24 |
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| 摘要：介绍了外置式USB无损图像采集卡的设计和实现方案，它用于特殊场合的图像处理及其相关领域。针对图像传输的特点，结合FPGA/CPLD和USB技术，给出了硬件实现框图，同时给出了FPGA/CPLD内部时序控制图和USB程序流...... |
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| USB2.0高速无线数传接收设备的数据接收存储方法
| 关注: 2012-11-24 |
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摘 要：介绍了一种利用USB2.0接口芯片ISP1581并配合FPGA芯片EP1K30TI144和DSP芯片TMS320F206实现无线数传接收设备中数据接收存储的方法。这种方法具有接口简单、使用方便等特点。
数据接收存储技术是信...... |
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| mp3芯片介绍
| 关注: 2012-11-24 |
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一、飞利浦系列
产地：荷兰
如果一定要评出目前市场上最好的MP3解码芯片的话，那么无疑就是飞利浦芯片了。飞利浦家族的解码芯片在业界一直以其“功能全，音质好，价格高”而著称。 飞利浦的解...... |
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| PWM技术在智能充电器中的应用
| 关注: 2012-11-24 |
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介绍了PWM 技术的基本原理。并详细介绍在智能充电器中采用的PWM技术的方法和其优缺点。并针对问题提出了更加合理的解决方案。本文介绍的方法主要面向镍氢和镍镉电池充电器等应用。PWM技术的基本原理
随着电...... |
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| 瞬态电压抑制二极管(TVS)特点及主要参数
| 关注: 2012-11-24 |
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一、 TVS器件的特点
瞬态（瞬变）电压抑制二级管简称TVS器件，在规定的反向应用条件下，当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时，其工作阻抗能立即降至很低的导通值，允许大电流通过，并将电压箝制到预定水平，从...... |
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| 瞬态电压抑制二极管(TVS)选用原则
| 关注: 2012-11-24 |
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| 在选用瞬态电压抑制二极管(TVS)时，必须考虑电路的具体条件，一般应遵循以下原则：大箝位电压Vc(MAX)不大于电路的最大允许安全电压。最大反向工作电压（变位电压）VRWM不低于电路的最大工作...... |
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