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第三代通用串行总线（USB 3.0）渗透率将显着提升。先前USB 3.0在NAND闪存（Flash）产能未能配合的情况下，迟迟未能于储存应用领域大展身手；不过，今年USB 3.0已迅速拓展至电视、车载资通讯系统与行动设备等影音传输应用市场，可望提升市场渗透率。 
円星科技副总经理张原熏指出，该公司的USB 3.0实体层IP整合高速混合信号电路，支援5Gbit/s传输率，并向下相容USB 2.0与USB 1.1。 円星科技副总经理张原熏表示，尽管USB 3.0接口在数据传输率的效能优势大幅胜过前一代标准，但由于2013年大多数读写速度在200MB/s以上的NAND闪存多被用在智能手机的内嵌式存储器（eMMC），因此在存储器供应商有限、产能受挤压的情况下，USB 3.0即使应用于储存产品，也难与合适的闪存搭配，导致无法彰显终端产品差异化优势，并削弱储存产品开发商采用USB 3.0接口的意愿。 有鉴于此，USB 3.0芯片商已积极开拓储存应用之外的市场，盼能于其他领域大展鸿图。张原熏指出，由于USB 3.0同时具备高传输率与供电两大优势，因此已迅速成为第二代高解析度多媒体接口（HDMI 2.0）在电视等影音应用市场的强劲对手。 据了解，联发科/晨星的超高画质（UHD）电视主芯片已提供USB 3.0的接口支援，而未来中国大陆主要品牌厂商的电视也多将搭载至少一个USB 3.0接口，做为无线局域网路（Wi-Fi）或UltraGig Dongle插孔，从而实现与手机/平板等行动设备间无线传输高画质（HD）影音的应用情境。 不仅如此，随着主要应用处理器厂商高通（Qualcomm）、辉达（NVIDIA）、博通（Broadcom）等纷纷推出支援USB 3.0规格的新一代处理器，智能手机与平板电脑搭载USB 3.0接口，亦已是大势所趋。 看好各式影音应用系统将大量导入USB 3.0芯片，円星科技积极投入USB 3.0实体层（PHY）硅智财（IP）开发，并已于日前成功通过台积电硅智财验证中心的测试。 张原熏强调，円星科技的USB 3.0实体层硅智财具备低芯片占位面积（仅竞争对手70%）、最低至50毫安培（mA）的耗电以及高可靠度等多重优势，更重要的是，已全面适用于110纳米（nm）、55纳米、40纳米和28纳米等製程技术，可视特定应用集成电路（ASIC）客户的应用需求，提供能够最快速完成芯片整合设计的硅智财选项。
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